Manufacturer
MSKSEMIManufacturer Product Number
MS10N65F
Description
此款N沟道MOSFET采用TO-220F封装,漏源电压(Vdss):650V,漏极电流(Id):10A具有低导通电阻和快速开关功能,漏源导通电阻 (RDS(on)):0.95Ω@ VGS=10V,可适用于开关电源、电机驱动、LED照明、电池管理系统、消费类电子产品等,满足你的电路设计需求
Manufacturer Standard Lead Time
5-7个
Detailed Description
此款N沟道MOSFET采用TO-220F封装,漏源电压(Vdss):650V,漏极电流(Id):10A具有低导通电阻和快速开关功能,漏源导通电阻 (RDS(on)):0.95Ω@ VGS=10V,可适用于开关电源、电机驱动、LED照明、电池管理系统、消费类电子产品等,满足你的电路设计需求
| Type | Description |
|---|---|
| Category | Boxes, Enclosures, Racks andBox Components |
| Resource Type | Link |
|---|
| Attribute | Description |
|---|
| Attribute | Description |
|---|
| Quantity | Unit Price | Ext Price |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.3816 | |
| 10+ | $ 0.3008 | |
| 30+ | $ 0.2660 | |
| 100+ | $ 0.2200 | |
| 500+ | $ 0.2019 | |
| 1000+ | $ 0.1894 |
Minimum:1/Multiple:1
Total amount: