Manufacturer
MSKSEMIManufacturer Product Number
MS18N50F
Description
此款N沟道MOSFET采用TO-220F封装,漏源电压(Vdss):500V,漏极电流(Id):18A具有低导通电阻和快速开关功能,漏源导通电阻 (RDS(on)):0.36Ω@ VGS=10V,可适用于开关电源、电机驱动、LED照明、电池管理系统、消费类电子产品等,满足你的电路设计需求
Manufacturer Standard Lead Time
5-7个
Detailed Description
此款N沟道MOSFET采用TO-220F封装,漏源电压(Vdss):500V,漏极电流(Id):18A具有低导通电阻和快速开关功能,漏源导通电阻 (RDS(on)):0.36Ω@ VGS=10V,可适用于开关电源、电机驱动、LED照明、电池管理系统、消费类电子产品等,满足你的电路设计需求
| Type | Description |
|---|---|
| Category | Boxes, Enclosures, Racks andBox Components |
| Resource Type | Link |
|---|
| Attribute | Description |
|---|
| Attribute | Description |
|---|
| Quantity | Unit Price | Ext Price |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.6350 | |
| 10+ | $ 0.5097 | |
| 30+ | $ 0.4484 | |
| 100+ | $ 0.3871 | |
| 500+ | $ 0.3509 | |
| 1000+ | $ 0.3314 |
Minimum:1/Multiple:1
Total amount: