Manufacturer
ToshibaManufacturer Product Number
TTD1409B,S4X
Description
雙極結晶體管 - BJT Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=25W F=1MHZ
Manufacturer Standard Lead Time
3-5
Detailed Description
雙極結晶體管 - BJT Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=25W F=1MHZ
| Type | Description |
|---|---|
| Category | Boxes, Enclosures, Racks andBox Components |
| Jing Ti Guan Type | NPN |
| Operating Temperature | 150℃ |
| Power | 2W |
| Ji Dian Ji Current(ic) | 6A |
| Ji She Ji Ji Chuan Voltage(vceo) | 400V |
| Ji Dian Ji Jie Zhi Current(icbo) | 20µA |
| DC Gain (hFE@Ic, Vce) | 600@2A, 2V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) | 2V@40mA, 4A |
| Resource Type | Link |
|---|
| Attribute | Description |
|---|
| Attribute | Description |
|---|
| Quantity | Unit Price | Ext Price |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.9621 |
Minimum:1/Multiple:1
Total amount:
TTD18P10AT
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度,因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由于Trench MOS的沟逍是垂直的, 故可进一步提高具沟逍密度, 减小芯片尺寸, 降低导通电阻。 )并且具有MOS器件的一切优点, 如: 开关速度快、 驱动功率小等。并联的元胞具有负的温度系数,有利于大电流和更宽的安全工作区的实现。
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